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[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎上發(fā)展起來的一種新型復合功率器件，具有輸入阻抗大、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應用于電動汽車、電力機車里的電機驅動以及并網技術、儲能電站、工業(yè)領域的高壓大電流場合的交直流電轉換和變頻控制等領域，是電力電子領域中最重要的大功率器件，是綠色經濟的核“芯”。

2024-03-18 http://m.ymmxhf.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[常見問題]不同材質的陶瓷基板分別適用哪些拋光工藝？

目前，已投入生產的陶瓷基板主要有氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)和氮化鋁(AlN)等。陶瓷基板的硬度高、脆性大、容易產生裂紋、表面加工難度大。因此，對于陶瓷基板表面的加工要求更加嚴格，一般采用研磨拋光以去除基板表面的附著物、改善平整度、降低表面粗糙度，提高尺寸精度和表面質量，滿足薄型化的要求。不同陶瓷材質的性能和結構存在差異，選擇合適的拋光技術才能起到事半功倍的處理效果。

2024-01-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/butongcaizhidetaocij.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工藝技術

首先了解陶瓷基板與陶瓷基片的區(qū)別，特性優(yōu)勢，陶瓷基板制造五大工藝知識，以及工藝特點進行分析，行業(yè)展望，最后我們學習一下華科大對陶瓷基板科研知識案例分享

2023-11-06 http://m.ymmxhf.cn/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應用發(fā)展

目前，國內常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板市場預計未來3年大增94.27%，國產化需求強烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。

2023-10-09 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-10-06 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基片材料的種類

現(xiàn)代微電子技術發(fā)展異常迅速，電子系統(tǒng)及設備向大規(guī)模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。電子系統(tǒng)集成度的提高將導致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝基片材料作為一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機械承載支撐、氣密性保護和促進電氣設備的散熱。

2023-10-04 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijipiandezhonglei.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導體器件中的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://m.ymmxhf.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產品之母，它是計算機、手機等消費電子產品的關鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應用?？v觀全球技術發(fā)展簡史，每一次技術進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進行電鍍以制造用于布線的導體，專業(yè)術語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://m.ymmxhf.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-07-10 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB/DBC陶瓷基板超聲SAM檢測

2022年全球陶瓷基板市場銷售額達到了375億美元，預計2029年將達到2,563億美元，年復合增長率（CAGR）為26.0%。從產品類型方面來看，氮化硅陶瓷基板處于主導地位，2022年份額將達到90%。就應用來看，汽車行業(yè)在2022年份額大約是69%，在眾多的AMB/DBC陶瓷基板相關的上下游企業(yè)中，AMB/DBC陶瓷基板的本身質量檢測都是極為重要的一環(huán)，本文就陶瓷基板內部缺陷問題超聲SAM檢測展開討論。

2023-05-22 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBDBCtaocijibanchao.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網和風能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領域功率模塊封裝的不可或缺的關鍵基礎材料。

2023-04-17 http://m.ymmxhf.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產品領域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://m.ymmxhf.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導體器件中的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術與銅接合：將無氧銅經熱氧化或化學氧化制程于表面產生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經實現(xiàn)產業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學成分和微觀結構說起。晶格氧對高導熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機制是晶格振動，通過聲子來傳導熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導率?！锜Y體的典型微觀結構研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://m.ymmxhf.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應用介紹

根據(jù)封裝結構和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

2023-02-27 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行業(yè)動態(tài)]高導熱氮化硅陶瓷基板產業(yè)化進展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導熱的基板材料。近年來已經大規(guī)模生產的應用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhuaguitaociban.html

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