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隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其中與電力電子器件相匹配的封裝材料,無論是起支撐作用的電路板(金屬絕緣基板)、起電氣連接作用的互聯(lián)材料(燒結(jié)銀焊接)、起絕緣和環(huán)境保護(hù)作用的包封材料(環(huán)氧灌封料)還是起散熱作用的界面熱導(dǎo)材料,都對(duì)電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著,是電力電子器件領(lǐng)域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示,其中需要具備絕緣功能的材料主要包括:電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護(hù)芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導(dǎo)材料。本文基于當(dāng)前Si基和下一代
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