国产亚洲精品福利视频在线观看,国产高清精品一区二区

當(dāng)前位置：首頁 »全站搜索 » 搜索：銅基板

搜索結(jié)果

[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結(jié)構(gòu)的方法復(fù)雜且昂貴。尤其是由于功能結(jié)構(gòu)較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結(jié)構(gòu)的成本高昂且過程復(fù)雜。此外，功能結(jié)構(gòu)與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結(jié)，這些工藝可能在功能結(jié)構(gòu)和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://m.ymmxhf.cn/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的制作工藝

采用通過磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚工藝，在陶瓷基板上制作出超細(xì)線條電路圖形。

2024-07-03 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibandezhizuogo.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報(bào)道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實(shí)現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實(shí)現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://m.ymmxhf.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強(qiáng)度介紹

陶瓷材料的彎曲強(qiáng)度是金屬化陶瓷基板的一項(xiàng)重要性能，因?yàn)樗谘b配過程中影響到基板的可靠性和強(qiáng)度。彎曲強(qiáng)度通常表征為陶瓷對拉伸強(qiáng)度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://m.ymmxhf.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點(diǎn)高等優(yōu)點(diǎn)。在電子線路的設(shè)計(jì)和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導(dǎo)熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://m.ymmxhf.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實(shí)力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進(jìn)程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計(jì)到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達(dá)到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://m.ymmxhf.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應(yīng)用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。

2023-06-26 http://m.ymmxhf.cn/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

電子元件長期在高溫、高濕等環(huán)境下運(yùn)轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化，甚至可能會被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴(yán)苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。

2023-06-14 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocifengzhuangjiang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點(diǎn)膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]超聲波掃描技術(shù)在IGBT模塊檢測的應(yīng)用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型MOS場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。其具有高輸入阻抗，低導(dǎo)通壓降，高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應(yīng)用。

2023-05-17 http://m.ymmxhf.cn/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://m.ymmxhf.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領(lǐng)域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://m.ymmxhf.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構(gòu)成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構(gòu)。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內(nèi)部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價(jià)是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補(bǔ)這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導(dǎo)率代表了物體導(dǎo)熱性能的

2023-03-16 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊材料特性的熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內(nèi)部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導(dǎo)體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱導(dǎo)率和影響封裝體內(nèi)部各層間應(yīng)力的材料熱膨脹系數(shù)。1.材料的熱導(dǎo)率材料的熱導(dǎo)率體現(xiàn)了材料的導(dǎo)熱能力，熱導(dǎo)率越大，散熱效果越好，熱阻越小。根據(jù)現(xiàn)有資料，金屬（水銀除外）往往比非金屬的熱導(dǎo)率要大，純金屬的熱導(dǎo)率比合金熱導(dǎo)率大，合金比金屬-非金屬混合物熱導(dǎo)率大。IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由基板、DBC板、焊接材料和其他封裝材料組成。常見DBC板材料的熱導(dǎo)率如表1所示。BeO陶瓷的熱導(dǎo)率最高，但由于BEO粉末有毒性，在生產(chǎn)制造過程中較為麻煩，限制了在工業(yè)中的廣泛應(yīng)用。AH2O3陶瓷絕緣性

2023-03-13 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaicailiaotex.html