碳化硅覆銅陶瓷基板的制作工藝

碳化硅覆銅陶瓷基板在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，那么碳化硅覆銅陶瓷基板采用什么工藝制作的呢？

碳化硅陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板覆銅方法類似，可以采用DPC電鍍銅工藝以及DBC燒結(jié)銅兩種金屬化工藝。具體采用什么工藝，一個(gè)是要考慮銅層厚度，以及性能要求，布線和孔的密度等綜合考慮。

一，碳化硅陶瓷基板dpc鍍銅工藝

   碳化硅陶瓷基板采用高溫dpc電鍍燒結(jié)銅工藝，銅層一般較薄在100um以內(nèi)，也比較適合做精密化線路以及多孔，密集孔等，比較適合做高精密產(chǎn)品。制作成本較高，一般都是以打樣和小批量為主。

二，碳化硅陶瓷基板dbc直接覆銅工藝

DBC直接覆銅板工藝，一般銅層較厚，銅層100um以上，通過高位燒結(jié)將銅敷在碳化硅陶瓷基板的表面，形成具有高電氣性能的陶瓷覆銅載板。此工藝制作相對簡單，費(fèi)用也相對便宜，可以實(shí)現(xiàn)的大批量生產(chǎn)制作。

在半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)中采用碳化硅陶瓷覆銅基板具有導(dǎo)熱性好、絕緣性高、氣密性好、耐高溫、耐高壓、耐磨損、機(jī)械性能好等綜合特性，雖然板材成本較貴，但是可以時(shí)間更好的產(chǎn)品性能和應(yīng)用優(yōu)勢。更多碳化硅覆銅陶瓷基板相關(guān)問題可以咨詢金瑞欣特種電路。