碳化硅陶瓷基板（SiC）對(duì)新能源汽車(chē)能帶來(lái)哪些有利影響

        在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應(yīng)商和主機(jī)廠(chǎng)經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品。

汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來(lái)源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱?dòng)機(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺(tái)從400V升級(jí)到800V。

相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強(qiáng)，應(yīng)用在800V平臺(tái)中能夠產(chǎn)生更高的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，可以達(dá)到充電快和續(xù)航里程遠(yuǎn)的綜合效益。

在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個(gè)吃螃蟹的人是特斯拉。

2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機(jī)控制器的純電動(dòng)汽車(chē)，開(kāi)創(chuàng)碳化硅陶瓷基板應(yīng)用的先河?；?IGBT 的諸多優(yōu)勢(shì)，在 Model 3 問(wèn)世之前，市面上的新能源車(chē)均采用 IGBT 方案。

而 Model 3 利用 SiC 模塊替換 IGBT 模塊，這一里程碑式的創(chuàng)新大大加速了 SiC 等寬禁帶半導(dǎo)體在汽車(chē)領(lǐng)域的推廣與應(yīng)用。

在相同功率等級(jí)下，SiC模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開(kāi)關(guān)損耗降低了75%。換算下來(lái)，采用SiC模塊替代硅基IGBT模塊，系統(tǒng)效率可以提高5%左右。

碳化硅模塊的內(nèi)置芯片就是碳化硅陶瓷覆銅板，不僅能起到很好的支撐作用，與此同時(shí)，碳化硅陶瓷覆銅板主要的核心優(yōu)勢(shì)是耐高溫、耐高壓、耐磨損、低損耗、高頻率工作。因此用于高散熱、高導(dǎo)熱、大電流、大電壓、需要高頻率運(yùn)作的產(chǎn)品非常合適適合汽車(chē)電力控制系統(tǒng)器件產(chǎn)品。更多碳化硅陶瓷基板相關(guān)可以咨詢(xún)金瑞欣特種電路。