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[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機車里的電機驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟的核“芯”。

2024-03-18 http://m.ymmxhf.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC 和 AMB 覆銅陶瓷基板有何不同？

近年來，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體功率模塊得到了廣泛的應(yīng)用。功率模塊一般應(yīng)用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應(yīng)用領(lǐng)域，其對載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點，恰好滿足了功率模塊的應(yīng)用需求。

2024-02-21 http://m.ymmxhf.cn/Article/DBCheAMBfutongtaocij.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。包括我們前面聊到的無焊料，無鍵合線等互連技術(shù)趨勢外，絕緣基板的選擇也成為經(jīng)常討論的話題。

2023-10-23 http://m.ymmxhf.cn/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB覆銅陶瓷基板介紹

近年來，隨著新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體功率模塊得到了廣泛的應(yīng)用。功率模塊一般應(yīng)用在大功率大電壓環(huán)境中，相較于通常的電子應(yīng)用領(lǐng)域，其對載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。而覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點，恰好滿足了功率模塊的應(yīng)用需求。

2023-10-13 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBfutongtaocijibanj.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-10-06 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊用DBC基板的設(shè)計

DBC 陶瓷基板的發(fā)展、工藝原理、性能及應(yīng)用。由于DBC基板的各種優(yōu)良性能，DBC被廣泛應(yīng)用于各型IGBT模塊中，采用DBC基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

2023-08-21 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaiyongDBCjib.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://m.ymmxhf.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http://m.ymmxhf.cn/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://m.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB/DBC陶瓷基板超聲SAM檢測

2022年全球陶瓷基板市場銷售額達到了375億美元，預(yù)計2029年將達到2,563億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為26.0%。從產(chǎn)品類型方面來看，氮化硅陶瓷基板處于主導(dǎo)地位，2022年份額將達到90%。就應(yīng)用來看，汽車行業(yè)在2022年份額大約是69%，在眾多的AMB/DBC陶瓷基板相關(guān)的上下游企業(yè)中，AMB/DBC陶瓷基板的本身質(zhì)量檢測都是極為重要的一環(huán)，本文就陶瓷基板內(nèi)部缺陷問題超聲SAM檢測展開討論。

2023-05-22 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBDBCtaocijibanchao.html
[行業(yè)動態(tài)]車規(guī)級IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在不斷提升。電機控制器內(nèi)IGBT功率模塊長時間運行以及頻繁開閉會產(chǎn)生大量熱量，伴隨著溫度的升高，IGBT功率模塊的失效概率也將大幅增加，最終將影響電機的輸出性能以及汽車驅(qū)動系統(tǒng)的可靠性。因此，為維持IGBT功率模塊的穩(wěn)定工作，需要有可靠的散熱設(shè)計與通暢的散熱通道，快速有效地減少模塊內(nèi)部熱量，以滿足模塊可靠性指標的要求。

2023-05-15 http://m.ymmxhf.cn/Article/cheguijiIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來越廣泛。

2023-05-04 http://m.ymmxhf.cn/Article/dianzifengzhuangyong.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://m.ymmxhf.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[常見問題]什么是IGBT？結(jié)構(gòu)解釋和拆解

IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點。它是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的呢？一、IGBT模塊詳解二、IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)三、IGBT 內(nèi)部電流流動四、如何拆卸IGBT模塊？五、常見問題一、IGBT模塊詳解以拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。本模塊長寬高分別為：25cmx8.9cmx3.8cm。

2023-03-06 http://m.ymmxhf.cn/Article/shimeshiIGBTjiegouji.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用到動力電池的原理和優(yōu)勢

氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用到動力電池的原理和優(yōu)勢新能源汽車用的都是鋰電池，動力電池在運行和使用的過程中就會產(chǎn)生很大的熱量，如果這些熱量不被很好地散發(fā)出去，勢必會影響動力汽車的安全運行。那么既要保證電池的有效持續(xù)應(yīng)用，又要實現(xiàn)有效散熱，需要用到陶瓷基板，尤其是氮化鋁陶瓷基板。以下講述氮化鋁陶瓷基板在動力電池的使用原理以及優(yōu)勢。一，氮化鋁陶瓷基板在動力電池使用的原理無論什么類型的電動汽車需要動力電池作為動力，所以需要設(shè)置一些液體冷卻裝置，鑲嵌在單個電池之間，熱量通過導(dǎo)熱絕緣層傳遞給冷卻液，所以流動冷卻液控制電池組的溫度，但在冷卻層外使用ALN陶瓷基片。它有效地完成了鋰電池在工作中產(chǎn)生的大量熱量，可以實現(xiàn)散熱，但也可以完成電池之間的傳導(dǎo)。該設(shè)計的優(yōu)點是：既可以完成電

2022-10-31 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhualvtaocijibanyi.html
[常見問題]氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的；同時氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點以及制備流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊（AMB

2022-10-19 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機械性能非常好，硬度強，耐磨損，導(dǎo)熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強硬度和導(dǎo)熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導(dǎo)體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現(xiàn)層級互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反

2022-10-18 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://m.ymmxhf.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html