DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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10 2023-04

電子封裝陶瓷基板如何進(jìn)行表面修飾？

以氧化鋁、氮化鋁、氮化硅為主流的陶瓷基板是當(dāng)下電子封裝領(lǐng)域不可或缺的基礎(chǔ)材料，它們既是芯片和阻容元件的承載體，實現(xiàn)導(dǎo)電和互連的功能，也是芯片的保護(hù)體，發(fā)揮著抵御服役環(huán)境應(yīng)力沖擊及濕熱腐蝕的作用。其具有的與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、耐高溫、耐腐蝕、...

陶瓷基板

03 2023-04

用于功率電子的覆銅陶瓷基板(DCB)銅合金

功率（電力）電子技術(shù)正被廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)中。維蘭德為此開發(fā)出一種特殊銅合金產(chǎn)品，可滿足直接覆銅陶瓷基板生產(chǎn)的特殊要求。

覆銅陶瓷基板DBC

31 2023-03

氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷，具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

氮化鋁陶瓷基板工藝

28 2023-03

規(guī)模達(dá)84億美元的IGBT要用哪些陶瓷基板

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷軌蚋鶕?jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，廣泛應(yīng)用軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能...

IGBT陶瓷基板

27 2023-03

硅凝膠在IGBT模塊應(yīng)用介紹

機(jī)硅凝膠是一種既可以常溫下固化又可以升溫固化的液體加成型硅凝膠,具有優(yōu)異的防潮、防水、耐臭氧、耐輻射、耐氣候老化等特性，可在-40℃～200℃長期使用，電器性能優(yōu)良，化學(xué)穩(wěn)定性好。水樣般清澈透明的硅凝膠又叫果凍膠，廣泛應(yīng)用于電子灌封、照明和...

IGBT模塊

27 2023-03

氮化鋁HTCC基板的特點及應(yīng)用

氮化鋁（AlN）陶瓷具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高強度、高硬度、無毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能，且具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和耐腐蝕性能，采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AlN多層布線共燒基板，是大功率模塊、大規(guī)模集成電路的理想散熱和...

氮化鋁htcc基板